TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装，能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接，从而减小封装中源极线的电感，进而发挥MOSFET高速开关性能，抑制开关时产生的振荡。与杰柏特现有产品JGVN030N10S相比，其导通开关损耗降低了约68%，关断开关损耗降低了约56%。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。
TOLL封装与最新DTMOS第VI代工艺技术相结合扩展了产品阵容，覆盖了低至2.7mΩ（最大值）的低导通电阻。
JGVT027N10S具有分立栅的结构，即使漂移层具有高耐受电压，也能够降低其电阻。同时该产品采用单层外延工艺，实现了低导通电阻与高速开关。最新一代DTMOS的第Ⅵ代系列与传统的DTMOSⅣ-H系列相比，通过降低漏源导通电阻和栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）的乘积（品质因数），能够提高开关电源的效率。
JGVT027N10S凭借其优异的性能与先进的封装技术，被广泛应用于开关电源、数据中心（服务器电源等）、充电桩、光伏发电机的功率调节器和不间断电源系统（UPS）等领域。
作为一家在功率MOSFET深耕多年的科技型企业，杰柏特半导体通过对市场敏锐的洞察能力和不断地产品迭代创新的科技力量，相信能够为未来您在MOSFET的产品选型上提供更多参考价值。
